台积电此前已公布路线图与最新进展,A16(1.6nm)制程工艺预计将于2026年下半年量产,将搭载先进的背面供电(Backside Power Delivery)技术,台积电称其为“超级供电轨”(Super Power Rail),可以提升芯片能效表现。

据中国台湾业界消息,台积电并没有为A16制程准备High-NA(高数值孔径)EUV光刻机,而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下,英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。

关于背面供电技术,英特尔原本计划在20A(2nm)制程导入,称其为“Power Via”,但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN,根据早些时候消息,三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。

目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机,并完成组装。业界认为,台积电选择在这时推出A16制程,给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步,但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。

台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机,也展现了其技术实力,可以在不采用最新设备的情况下,将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上,去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式,在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时,还降低了缺陷密度。

中国台湾分析师表示,台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求,尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限,如何在三大晶圆代工巨头之间分配,势必成为一大挑战。

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